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元件参数资料
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参数目录50112
> BSC205N10LS G MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
型号:
BSC205N10LS G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSC205N10LS G PDF
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
45A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
20.5 毫欧 @ 45A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.4V @ 43µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 50V
功率 - 最大
76W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSC205N10LS GCT
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